Deep|UMC: 成熟制程 UTR 逐季攀升；进入较先进制程及 SiPho 制造

过去两年，成熟制程受消费电子需求疲弱与中国产能大举扩张的夹击，产能利用率与代工价格持续承压。然而自 2026 年起，成熟制程摆脱低迷，需求开始回暖。除消费电子的库存回补外，AI 的强劲需求、地缘政治因素，以及台积电逐步退出成熟制程，正共同重塑成熟制程的供需格局。

供给侧，AI 与高性能计算需求的爆发，促使台积电将绝大部分资本支出高度集中于 5nm 以下的先进节点，从而挤压了成熟制程的新增产能投资。新建成熟制程晶圆厂的固定成本高昂，出于利润率考量，中国大陆以外的晶圆厂普遍缺乏扩张成熟产能的意愿，整体供给扩张因此受限。

需求侧，AI 服务器周边芯片与电源管理芯片需求的增长，为成熟制程提供了坚实支撑。此外，地缘政治引发的供应链重塑 (China-Plus-One) 也使 fabless 客户加速将其在中国大陆投产的成熟制程订单转移至台湾、新加坡等替代代工基地。

光通信及先进制程布局

联电取得 imec 的 12 英寸硅光子制程技术授权，将既有的 8 英寸硅光子量产经验推进至 12 英寸晶圆，打造可量产的 PIC 平台。该技术为数据中心提供低延迟、高带宽、低功耗的解决方案。联电目前的光通信客户包括 Coherent、Celestial AI、 Hyperlight及Sifotonics。联电在Ge PD代工方面进展迅速，产品已经大规模导入国际一线光模块和csp厂商。另外，在TFLN工艺方面，联电也是全球领先地位，和Hyperlight深度合作。预计光通信收入到 2027 年将占总收入的 5%–10%。

在 12nm FinFET 平台方面，联电与 Intel 展开合作，于 Intel 美国亚利桑那州厂区进行开发与制造。借助这一合作，联电无需投入庞大的晶圆厂资本支出，即可将技术能力由成熟制程延伸至 12nm 先进节点。该节点瞄准物联网、Wi-Fi 连接与高速接口等应用，使联电摆脱单纯的成熟制程价格战。目前双方合作进展顺利，预计于 2026 年向客户交付 PDK 及相关 IP，2027 年启动 tape-out（流片），并于 2027 年底前进入商业化量产。